在人工智能基础设施需求持续井喷的背景下，全球 HBM 内存龙头 SK 海力士正加速扩张产能。SK 集团会长崔泰源近日透露，公司计划将晶圆产能扩大至原来的三倍，但受限于建设周期，所有新增产能直到 2034 年才能完全投产。
这一表态紧随 SK 海力士宣布"五年内产能翻倍"计划之后。崔泰源进一步解释称，虽然计算显示五年内可实现产能翻倍，但当所有设施建成后，到 2034 年左右实际产能规模将达到当前的三倍。目前，SK 海力士正在推进四座新晶圆厂的建设，第一阶段有望在 2027 年上线。为此，公司已将原本计划耗时二十年的产量提升时间表大幅提前。"目前没有任何办法能比这更快。"崔泰源表示。
选址考量与供应链布局
尽管大部分新增产能将落地韩国本土，SK 海力士也在积极探索海外制造的可能性。崔泰源特别指出，日本拥有稳健的半导体供应链，是建厂的"极佳"选择之一。
作为 DRAM 和 NAND 闪存市场的三大巨头之一（另两家为三星和美光），SK 海力士近期估值大幅飙升。强劲的需求不仅推动了公司收入的爆炸式增长，也导致消费级 DRAM 和 SSD 价格飞涨，部分产品同比涨幅超过两倍。
高价周期或将延长至 2027 年
对于消费者而言，这波扩建潮难以在短期内缓解成本压力。分析指出，内存价格最早也要到今年晚些时候才会见顶，且更有可能在 2027 年前后趋于平稳，而非像过去那样在新产能上线后出现价格暴跌。
传统的存储芯片市场往往遵循"繁荣 - 萧条"周期：库存消耗推动价格飙升，新产能释放则导致价格急跌。然而，始于 2022 年的 AI 热潮改变了这一格局。一方面，AI 基础设施的稳定需求平滑了市场波动；另一方面，行业在财务上最困难的时期遭遇了扩建挑战。TechInsights 分析师指出，硅谷对 DRAM 行业的巨大需求使得额外产能的扩建极具挑战性。加之先进制程晶圆厂从建设到投产至少需要三年时间，内存供应商的高景气度与高价格恐将持续数年。
【星途科讯 图文丨欧阳布布】
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